サ |
再現性(繰返精度) |
光電センサや近接センサでは検出物体が進入してきてスイッチングする位置の繰り返しの再現性を、変位センサや温度計等では測定値の再現性を表します。どちらも、短い時間間隔で同一条件で複数回測定して得られた結果の一貫性を表します。 |
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最小曲げ半径 |
ケーブル等をどこまで小さく曲げていいかを表現する指標です。
曲げのカーブに相当する円の半径が数値となります。 |
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三角測量/三角測距 |
レーザ変位センサやBGS型センサ(距離設定型センサ)の距離の測定原理。投光光源・ワーク・受光素子で三角形を形成させて距離を測定します。具体的には、変位センサの投光素子から光は投光レンズを通して集光されワークに投光され、ワークから反射した光の一部は受光レンズを通してC-MOSやPSD等の受光素子上に光スポットを形成します。ワークが移動するとリニアイメージセンサ上の光スポットも移動しますので、その位置変化を検出することで、ワークまでの距離を測定することができます。 |
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サンプリング周期 |
センサが1個の測定値を出力する時間。サンプリング周期が短すぎると反射率の低いワークを測定しにくくなり、長すぎると反射率の高いワークを測定しにくくなります。 |
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サンプリング周波数 |
サンプリング周期(時間)を周波数(回数)に直したもので、センサが1秒間に何回測定できるかの回数。通常、単位はHzで表記されます。 |
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サンプルホールド |
変位センサや温度計の計測モードに一つで、外部からトリガを入れた瞬間の値をサンプリング(測定)し、ホールド(保持)するモード。ワークの特定の箇所を順に測定する場合などに使用します。 |
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残留電圧 |
制御出力がON状態のときにCOMとの間に発生する電圧。流れる負荷電流により電圧値は異なります。 |
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シ |
CCD素子 (シーシーディーソシ) |
Charge Coupled Deviceの頭字語で固体撮像素子の意。1次元もしくは2次元に並列された非常に高分解能な画素により構成される受光素子であり、各画素ごとに受光量を検出できるので、C-MOS素子と同じくレーザ変位センサや三角測距式の距離センサおよび画像センサの受光素子として使用されます。CCDには他の撮像素子に比べて相対的に感度が高くノイズが少ないという特長がありますが、動作には複数の電圧が必要なので、数種の電圧を生成するための電源LSIが必要です。またC-MOS素子に比べサイズが大きく、消費電流も高くなっています。 |
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CC-Link (シーシーリンク) |
CC-Linkは、日本国内では最も普及率の高いオープンフィールドネットワークのひとつです。CC-Linkの普及を目的としてCC-Link協会(CLPA)という組織が設立されており、パートナーメーカとして会員申請することにより、技術情報の開示を受けCC-Link対応製品を開発できます。CC-Linkにはほかにも「CC-Link/LT」、「CC-Link Safety」、「CC-Link IE」の4つがあり、最も普及しているのは「CC-Link」ですが、最近ではEthernetをベースにした「CC-Link IE」の普及が進みつつあります。 |
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C-MOS素子 (シーモスソシ) |
Complementary Metal Oxide Semiconductorの頭字語で相補性金属酸化膜半導体の意。1次元もしくは2次元に並列された非常に高分解能な画素により構成される受光素子であり、各画素ごとに受光量を検出できるので、CCD素子と同じくレーザ変位センサや三角測距式の距離センサおよび画像センサの受光素子として使用されます。CCD素子に比べ感度は低いが、素子が小さく消費電流も少ないのが特長です。 |
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受光素子 |
投光器や反射ミラー、検出物体等からの光を受け、電気信号に変換する電子部品。主にフォトダイオードやフォトトランジスタ等が使用されるが、BGSセンサや変位センサ、画像センサではCCDやC-MOS素子といった数百~数十万個の素子(画素)を配したイメージセンサが使用されます。 |
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受光波形 |
CMOS素子上の受光位置と光量の強さをコントローラやPC上で波形表示する機能。主に正反射方式の変位センサ使用時に正しい角度でセンサが設置されているかどうかの確認に使用されますが、黒ワーク等、反射率が低いワークの測定時に反射光が十分得られているかどうかの確認にも使用されます。 |
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レ |
レーザクラス 1 |
設計上、本質的に安全であるレーザ。どのような光学的手段で集光しても眼に対して安全なレベルであり、クラス1であることを示すラベルを貼ること以外は、特に対策は要求されていません。 |
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レーザクラス 1M |
波長範囲302.5 - 4000nmで低出力。光学的手段でビーム内を観察すると危険となる場合があります。 |
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レーザクラス 2 |
可視光(波長範囲400〜700nm)で低出力。眼の保護は「まばたき」等の嫌悪反応により行われます。 |
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レーザクラス 2M |
可視光(波長範囲400〜700nm)で低出力。眼の保護は「まばたき」等の嫌悪反応により行われます。光学的手段でビーム内を観察すると危険となる場合があります。 |
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レーザクラス 3R |
直接のビーム内観察は潜在的に危険ですが、その危険性はクラス3B以上のレーザよりも低いレーザ。製造者や使用者に対する規制対策がクラス3Bレーザに比べ緩和されています。AEL(Accessible Emission Limit:被曝放出限界)は、可視光以外(波長302.5nm〜)ではクラス1の5倍以下、可視光(波長範囲400〜700nm)ではクラス2の5倍以下です。鍵やインタ−ロックを取り付ける必要がありません。 |
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レーザクラス 3B |
出力が500mW以下のレーザで、直接ビーム内を観察すると危険。鍵やインタ−ロックの取付、使用中の警報表示等も必要です。 |
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レーザクラス 4 |
散乱された光を見ても危険な高出力レーザ。皮膚に当たると火傷を生じたり、物に当たると火災を生じる危険がある。出射したレーザビームは必ずブロックする等の対策が必要。当然のことながら鍵やインタ−ロックを取り付ける必要があります。使用中の警報表示等も必要です。 |
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レーザ光 |
位相の揃った単波長の人工光。Light Amplification by Stimulated Emission of Radiationの頭字語。LEDに比べ指向性に優れ、投光パワーが強いのが特長。光電センサでは長距離検出や高精度位置決め、微小物体検出に適している。また変位センサでは、その優れた指向性により小スポット化が容易なため、高精度に測定が可能となる。投光パワーが強いので、日本においてはIEC規格と整合したJIS C 6802により、その危険度に応じた7つのクラスに分類されています。 |
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レーザ放射表示灯 |
レーザ光が射出口から放射されているときに点灯する表示灯。 |
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